“气温28℃，2级风，PM2.5……” 炎炎夏日，走进北京北三环边上的中国建筑科学研究院，一栋棕色的建筑随即发布了天气数据：左上屏幕 收集有关系统的最新信息。
这是我国建筑科学研究院建成的中国第一座近零能耗办公楼，代表了我国当前国家建筑节能技术发展的最高水平。2016年荣获21世纪绿色建筑奖；2017年荣获中国人居环境奖典范奖等；2018年被国家发改委评选为中国“双十佳”最佳节能实践项目。不仅如此，记者了解到，它的建成对我国建筑节能的发展方向具有特殊意义。
协助推出首个近零能耗建筑国际技术标准
全球气候变化是当今和今后相当长一段时间内人类面临的最严峻的环境和发展挑战，而建筑是节能减排和应对气候变化最重要的领域之一。
国际建筑节能技术进步很快，已经从节能建筑向超低能耗建筑、近零能耗建筑、零能耗建筑迈进。然而，10年前，我国近零能耗建筑还处于无试点示范、无科研项目、无技术规则、无行业组织、无产业目标的状态。
“为引领建筑节能工作更上一层楼，2013年1月起，在中美清洁能源联合研究中心建筑节能合作项目科研成果的基础上，来自中国的30多位专家与美国共同研究设计建造的‘CABR近零能耗示范建筑’已于2014年7月竣工交付。” 中国建筑科学研究院研究员张世聪说。
推门进入这座4层高的示范楼，尽管外面酷热难耐，但室内却给人以流畅、凉爽、舒适的感觉。
中国建筑科学研究院总工程师徐伟说：“最初的设计思路体现在：一是让建筑与环境整体协调；二是节约成本；三是效果- 面向并整合各种绿色和节能技术。”
据介绍，该示范楼已投入使用多年，实际供暖、空调和照明能耗仅为北京市普通写字楼平均能耗的20%。示范楼建筑面积4025平方米楼宇自控照度，单位面积总造价约5000元/平方米。与同需求同水平相比，建筑增量比例控制在20%以内，增量成本回收期控制在10年以内。
特别值得一提的是，基于示范建筑的经验，委托中国建筑科学研究院编制了国家标准《近零能耗建筑技术标准》，并于2019年发布。国家标准的颁布实施对全国相关工作的推进起到了重要的指导和支持作用。“该标准也是世界上第一个以国家标准形式发布的零能耗建筑领域的技术文件。” 许薇强调。
世界前沿建筑节能与环境控制技术综合展示
该示范建筑“冬季不使用传统能源供暖，夏季制冷能耗降低50%，建筑照明能耗降低75%”。这是如何实现的？
“面向我国建筑节能技术发展的核心问题，本着‘被动优先、主动优化、经济实用’的原则，该建筑作为国家级近零能耗示范工程，集成展示了28个世界-引领建筑节能与环境控制技术，力争打造未来中国建筑节能技术发展的标志性工程。” 许薇说道。
据介绍，近零能耗示范楼采用超薄真空绝热板作为高性能围护结构保温材料，传热系数仅为常规保温材料的六分之一；外窗采用三层真空Low-e铝包覆木窗，配备中央电动百叶遮阳系统，整窗传热系统比75%节能标准高出50%；建筑周围的地源热泵系统和安装在屋顶的太阳能空调等可再生能源系统为建筑提供制冷和供暖。
“根据多年运维数据，夏季供冷季节地源热泵系统和太阳能空调系统的贡献率分别为80%和20%；地源热泵系统和太阳能集热系统的贡献率冬季分别为70%和30% 示范楼照明系统采用多种高效节能灯具，实现按需照明、智能照明。与北京市同类项目相比，该项目可节电每平方米78度电，每年减少二氧化碳排放225.吨，为城市减少碳排放和改善人居环境做出贡献。” 李坏，
徐伟指出：“超低、近零能耗建筑将推动建筑节能由‘路径约束’向‘效果约束’转变，运营碳排放增速将快速放缓，为建筑节能提供有力支撑。” 2030 年建筑行业的碳峰值。”
据集微网消息，作为一家从事半导体制造设备研发、生产和技术服务的企业，近日，扬州思普尔科技有限公司相关项目的最新动态来了。
据扬州日报报道，该公司已完成涂胶机、显影机、等离子脱胶机样机的制作，目前正在进行工艺测试。预计6月开始量产。总经理张贵阳介绍：“扩散炉和清洗机的研发已接近尾声，预计7月出样机。”
2019年11月，扬州思普尔科技与韩国技术团队签署协议，立项研发芯片制造设备扬州楼宇自控设备生产厂家，计划今年实现产业化。“我们的产品可以替代进口设备制造6英寸、8英寸和12英寸芯片。” 公司张贵阳介绍，“之前，我们和韩国技术团队各负责一个零部件，零部件在扬州组装。经过接触，双方决定深入合作，在扬州成立合资公司。” ，还有10名来自韩国的研发人员将于7月来扬州工作。”
扬州思普尔科技成立于2011年，是一家集半导体设备研发、升级改造、技术服务、集成电路芯片设计、工艺研发于一体的国家高新技术企业。2018年公司销售额1500万元，去年销售额突破1亿元。核心成员曾在国内知名研究机构和海外半导体机构担任研发主管。
目前，扬州思普尔科技正在加快产能扩张。据集微网此前报道，今年3月15日，扬州思普尔科技有限公司半导体设备研发制造及6英寸晶圆芯片实验线项目正式签约落户扬州高新区。
项目总投资10亿元，分三期实施。一期建设半导体装备研发中心、装备制造中心、装备工艺性能测试中心和6英寸晶圆芯片测试线，主要从事半导体高温氧化装备和全自动清洗。干燥设备、镀膜显影设备、等离子刻蚀设备的生产制造预计2021年10月完成并投入使用。
二期项目将启动注入式光刻机、金属溅射平台、深沟刻蚀等设备的研发制造，预计2023年12月底前实施。
三期项目将在现有测试中心和芯片测试线的基础上，建设一条芯片生产线和一条特殊工艺的成品封装生产线。（校对/若冰）
